G60R068TP1

在产单 FET,MOSFETTO-263-2L

G60R068TP1 — 山东晶导微 MOSFET

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技术参数

环境与封装
PackageTO-263-2L
其他
Ciss(pF)3890
Coss(pF)196
Crss(pF)7.3
ID(A)55
PolarityN
Rdson_Max(mΩ)68
Rdson_Typ(mΩ)60
TechSJ-Trench
VDSS(V)600
@VGS/ID (V)/(A)10/27
VGSS(V)±30
VGSth_Max(V)5
VGSth_Min(V)3

技术资料