BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.9A GBU
GBU8M-E3/51 是 Vishay 生产的单相玻璃钝化桥式整流器,GBU 封装,平均整流电流 8.0 A,反向耐压 1000 V,工作温度 -55 至 +150 °C,符合 RoHS 标准。规格书核对
反向耐压1 kV
平均整流电流3.9 A
正向压降1 V
类型标准
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技术参数
反向耐压1 kV
平均整流电流3.9 A
正向压降1 V最大
类型标准
规格书核对参数
19 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 平均整流电流 | 8.0 A at TC = 60°C; 3.9 A at TA = 40°C | |
| 反向耐压 | 1000 V | |
| 正向压降 | 1.0 V at 8.0 A | |
| 类型 | In-line | |
| 封装 | GBU | |
| 工作温度 | -55 to +150 °C |
全部参数(15 项)
| 电源 | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 3.9 A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 8 A |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 1 kV |
| 环境与封装 | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | 4-SIP, GBU |
| Supplier Device Package | GBU |
| 其他 | |
| Base Product Number | GBU8 |
| Diode Type | Single Phase |
| Mfr | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Technology | Standard |
器件图片
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。