Case Style GBU

GBU8M-E3/51

在产二极管 - 桥式整流器GBU

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.9A GBU

GBU8M-E3/51 是 Vishay 生产的单相玻璃钝化桥式整流器,GBU 封装,平均整流电流 8.0 A,反向耐压 1000 V,工作温度 -55 至 +150 °C,符合 RoHS 标准。规格书核对

反向耐压1 kV
平均整流电流3.9 A
正向压降1 V
类型标准

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技术参数

反向耐压1 kV
平均整流电流3.9 A
正向压降1 V最大
类型标准

规格书核对参数

19 项
参数值和测试条件出处
平均整流电流8.0 A at TC = 60°C; 3.9 A at TA = 40°C
反向耐压1000 V
正向压降1.0 V at 8.0 A
类型In-line
封装GBU
工作温度-55 to +150 °C
等级commercial grade
RoHSYes
峰值浪涌电流200 A
最大直流阻断电压1000 V
最大均方根电压700 V
反向漏电流5.0 μA at TA = 25 °C; 500 μA at TA = 125 °C
结电容68 pF at 4 V, 1 MHz
熔断额定值166 A²s (t < 8.3 ms)
推荐扭矩5.7 cm-kg (5 inches-lbs)
最大安装扭矩10 cm-kg (8.8 inches-lbs)
UL 认证E54214
阻燃等级UL 94 V-0
无卤No (E3 suffix is RoHS-compliant, commercial grade; M3 suffix is halogen-free)
全部参数(15 项)展开收起
电源
Current - Average Rectified (Io)3.9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 8 A
Voltage - Peak Reverse (Max)1 kV
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageBulk
Package / Case4-SIP, GBU
Supplier Device PackageGBU
其他
Base Product NumberGBU8
Diode TypeSingle Phase
MfrVishay General Semiconductor - Diodes Division
Product StatusActive
Series-
TechnologyStandard

器件图片

技术资料

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。