GL(光磊)中国

GL10NP06V-D8

晶体管 - FET，MOSFET - 单

双通道N/P沟道,电流:10A,耐压:60V

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耐压60 V
连续漏极电流10 A
导通电阻18 mΩ

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技术参数

耐压60 V
连续漏极电流10 A
导通电阻18 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)10A
其他
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W

技术资料

数据手册数据手册 · 1.4 MB · 2026-09-21
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