GL(光磊)中国

GL18N30FA9

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道,电流:18A,耐压:300V

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耐压300 V
连续漏极电流18 A
导通电阻220 mΩ

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技术参数

耐压300 V
连续漏极电流18 A
导通电阻220 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)18A
其他
导通电阻(RDS(on))220mΩ@10V
耗散功率(Pd)45W

技术资料

数据手册数据手册 · 1.9 MB · 2026-09-21
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