GL41MHE3/97

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

反向耐压1 kV
平均整流电流1 A
正向压降1.2 V
类型标准

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技术参数

反向耐压1 kV
平均整流电流1 A
正向压降1.2 V最大 · 1 A
类型标准Standard Recovery >500ns,> 200mA (Io)
电源
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 1000 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 1 A
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-65°C~175°C
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseDO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device PackageDO-213AB
其他
Base Product NumberGL41
Capacitance @ Vr, F8pF @ 4V, 1MHz
Diode TypeStandard
MfrVishay General Semiconductor - Diodes Division
Product StatusActive
SeriesSUPERECTIFIER®
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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