GSM02P15J

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技术参数

电源
ID-最大漏极电流1A
Id-额定电流1A
VDSS-最大漏源电压150V
Vgs(th)-门槛电压3V
交流 / 直流特性
RDS(on)-漏源导通阻抗650mΩ
Ron-最大导通阻抗650mΩ
环境与封装
封装类型1SOT23
其他
Ciss-输入电容430pF
Ciss-输入等效电容430pF
Qg-栅极电荷4.4nC
Vdss-漏源耐压150V
Vgs-栅源耐压20V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量13
集成ESD保护二极管0
集成整流二极管0

技术资料

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