GSS4501-JSM
晶体管 - FET，MOSFET - 单适合电池管理系统、AC/DC转换及各类消费电子产品。集成双极性通道，提供优越的开关特性和低导通电阻，确保在正负电压下稳定工作，提升系统效能与节能表现。
沟道N + P
耐压40 V
连续漏极电流8 A
导通电阻36 mΩ
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沟道N + P
耐压40 V
连续漏极电流8 A
导通电阻36 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 8A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |