GSS4501-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺。具有双极性设计，能够同时控制正负极电流，适用于各种功率控制和开关应用。SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；8/-8A；RDS(ON)=18/32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±2V；
沟道N + P
耐压30 V
连续漏极电流8 A
导通电阻50 mΩ
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沟道N + P
耐压30 V
连续漏极电流8 A
导通电阻50 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 8A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |