HGB320N20SL

在产单 FET,MOSFETTO-263

200V MOSFET

耐压200 V
连续漏极电流51 A
阈值电压3 V

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技术参数

耐压200 V
连续漏极电流51 A
阈值电压3 V最大
电源
ChannelN
环境与封装
PackageTO-263
其他
ConfigurationSingle
ID51A
Product Family200V
Qg23nC
Qgd3nC
Qgs5nC
RDS(on) condition 232mΩ
RDS(on) condition 540mΩ
VDS200V
VGS(th)3V

技术资料