HL(富海微)中国
HLS100N06HF
晶体管 - FET，MOSFET - 单SGT;1个N沟道;VDSS:65V;ID:100A;VGS:±20V;VTH:2.9V;RDS(ON):3.7mΩ;PD：73.5W
沟道N 沟道
耐压65 V
连续漏极电流100 A
导通电阻3.7 mΩ
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沟道N 沟道
耐压65 V
连续漏极电流100 A
导通电阻3.7 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 65V |
| 连续漏极电流(Id) | 100A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
技术资料
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