HRU1L002SNTL
晶体管 - FET，MOSFET - 单该N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的最大连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），适用于多种低压、低功耗电路设计。其导通电阻（RDS(on)）为1300毫欧，在确保高效能的同时降低了发热风险。该器件的栅极阈值电压（VGS(th)）范围为20V，适合用于开关电源、电池管理系统及信号切换等应用中，能够实现快速响应与稳定控制。
耐压60 V
连续漏极电流115 mA
导通电阻3 Ω
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耐压60 V
连续漏极电流115 mA
导通电阻3 Ω最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,115mA |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |