HS6334
晶体管 - FET，MOSFET - 单这款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流高达15A。适用于中等功率的电源转换、负载控制及电池管理系统应用，具有出色的能效和空间利用率，为现代电子产品提供高效可靠的半导体解决方案。
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流15 A
导通电阻9 mΩ
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流15 A
导通电阻9 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 15A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |