HS6339
晶体管 - FET，MOSFET - 单此款消费级P沟道MOSFET采用小型SOP-8封装，专为30V系统设计，提供高达12A的连续电流处理能力。具备优秀的开关性能与低导通电阻，广泛应用于电池保护、电源切换以及高功率负载控制场景，是现代电子产品实现高效能、稳定运行的理想选择。
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流12 A
导通电阻15 mΩ
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流12 A
导通电阻15 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 12A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |