HSK3P15
晶体管 - FET，MOSFET - 单特性：100% EAS保证。 有绿色环保产品。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：负载开关。 电源管理
沟道P 沟道
耐压150 V
连续漏极电流3 A
导通电阻650 mΩ
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沟道P 沟道
耐压150 V
连续漏极电流3 A
导通电阻650 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 3A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |
技术资料
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