HSL1N25
晶体管 - FET，MOSFET - 单是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDSON和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具备完整的功能可靠性认证。具有超低栅极电荷、绿色环保器件、出色的Cdv/dt效应抑制、先进的高单元密度沟槽技术等特点。
沟道N 沟道
耐压250 V
连续漏极电流1 A
导通电阻1 Ω
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压250 V
连续漏极电流1 A
导通电阻1 Ω最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 250V |
| 连续漏极电流(Id) | 1A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
技术资料
该型号暂未收录资料。