HY3306B-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性，能够满足中等功率、高电流应用的要求，适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。TO263；N—Channel沟道,60V；150A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流150 A
导通电阻4 mΩ
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流150 A
导通电阻4 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 150A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |