HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.3V，反向漏电流（IR）为50μA，并可承受80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。其低VF与微小IR特性有助于降低导通损耗与静态功耗，适用于高频开关电源、高效率整流模块及对能效和热管理有严格要求的电力电子系统。