IRF540

单 FET,MOSFETTO-220AB

MOSFET N-CH 100V 28A 0.077OHM TO-220AB

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技术参数

电源
Continuous Drain Current (I_D)28 A
Drain to Source Breakdown Voltage (V_DS)100 V
Maximum Power Dissipation (P_D)150 W
环境与封装
Operating and Storage Temperature (T_J, T_STG)-55 to 175 °C
PACKAGETO-220AB
其他
Drain to Source On Resistance (r_DS(ON))0.077 Ω (Max)

技术资料