IRF540STRL

IRF540STRL

单 FET,MOSFETTO-263

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流28 A
导通电阻77 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流28 A
导通电阻77 mΩ最大 · 17A
阈值电压4 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)3.7W (Ta), 150W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageTO-263 (D2PAK)
其他
Base Product NumberIRF540
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1700 pF @ 25 V
MfrVishay Siliconix
PackagingTape & Reel (TR)
Part StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs77mOhm @ 17A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

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