MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Infineon IRF540ZPBF 是一款 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET，耐压 100V，连续漏极电流 36A，TO-220AB 封装，工作温度 -55 至 +175°C，具有低导通电阻和无铅特性。规格书核对
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流36 A
导通电阻26.5 mΩ
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技术参数
沟道N 沟道
耐压100 VMin 100 V (VGS = 0V，ID = 250μA)
连续漏极电流36 ATC = 25°C，VGS = 10V，TC = 100°C，VGS = 10V
导通电阻26.5 mΩ最大 · Max 26.5 mΩ (VGS = 10V，ID = 22A)
阈值电压4 V最大 · Max 4.0 V (VDS = VGS，ID = 250μA)
规格书核对参数
28 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 沟道 | N-Channel | |
| 耐压 | Min 100 V (VGS = 0V, ID = 250μA) | |
| 连续漏极电流 | Max 36 A @ TC = 25°C, VGS = 10V; Max 25 A @ TC = 100°C, VGS = 10V | |
| 导通电阻 | Typ 21 mΩ, Max 26.5 mΩ (VGS = 10V, ID = 22A) | |
| 阈值电压 | Min 2.0 V, Max 4.0 V (VDS = VGS, ID = 250μA) | |
| 封装 | TO-220AB |
全部参数（21 项）
| 电源 | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 92W (Tc) |
| 环境与封装 | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C~175°C(TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| 其他 | |
| Base Product Number | IRF540 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1770 pF @ 25 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.5mOhm @ 22A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。