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IRF7341

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列SO-8

MOSFET ARRAY 2 N-CH 55V 4.7A SO-8

IRF7341是一款双N沟道HEXFET功率MOSFET，55V耐压，SO-8封装，低导通电阻，适用于表面贴装功率应用。规格书核对

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技术参数

规格书核对参数

21 项

参数	值和测试条件	出处
封装	SO-8
工作温度	-55 to + 150 °C
等级	Consumer market
RoHS	Lead-Free
漏源电压	Max 55 V
连续漏极电流	Max 3.8 A @ TC = 70°C, VGS = 10V
脉冲漏极电流	Max 38 A
耗散功率	Max 1.3 W @ TC = 70°C
栅源电压	Max ± 20 V
栅源电压（单脉冲）	Max 30 V (tp<10μs)
单脉冲雪崩能量	Max 72 mJ
峰值二极管恢复dv/dt	Max 5.0 V/ns
结到环境热阻	Max 62.5 °C/W
漏源击穿电压	Min 55 V @ VGS = 0V, ID = 250μA
静态漏源导通电阻	Typ 0.056 Ω, Max 0.065 Ω @ VGS = 4.5V, ID = 3.8A
栅极阈值电压	Min 1.0 V @ VDS = VGS, ID = 250μA
正向跨导	Min 7.9 S @ VDS = 10V, ID = 4.5A
漏源漏电流	Max 2.0 μA @ VDS = 55V, VGS = 0V
总栅极电荷	Typ 24 nC, Max 36 nC @ ID = 4.5A
输入电容	Typ 740 pF @ VGS = 0V
输出电容	Typ 190 pF @ VDS = 25V

全部参数（7 项）展开收起

环境与封装
Package	SO-8
其他
ID @ TC = 25°C	4.7 A (Max)
PD @ TC = 25°C	2.0 W (Max)
RDS(on) @ VGS = 10V	0.050 Ω (Max)
TJ, TSTG	-55 to + 150 °C
VDS	55 V (Max)
VGS(th)	1.0 V (Min)

引脚与封装

封装SO-8

脚位	名称	功能	出处
1	S1	(Source 1)
2	G1	(Gate 1)
3	S2	(Source 2)
4	G2	(Gate 2)
5	D2	(Drain 2)
6	D2	(Drain 2)
7	D1	(Drain 1)
8	D1	(Drain 1)

技术资料

数据手册数据手册 · 166.6 KB · 2026-11-09

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规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。