Infineon Technologies德国

IRF7341GTRPBF

在产晶体管 - FET，MOSFET - 阵列SO-8

MOSFET N-CH 55V 5.1A

Infineon IRF7341GTRPBF 是一款双 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 SO-8 封装，额定漏源电压 55V，连续漏极电流 5.1A，支持 175°C 结温工作，具有低导通电阻和无卤素特性。规格书核对

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技术参数

规格书核对参数

22 项
参数值和测试条件出处
封装SO-8
工作温度-55 to + 175 °C
等级Industrial (per JEDEC JESD47F guidelines)
RoHSYes
无卤Halogen-Free
漏源击穿电压Min 55 V, $V_{GS} = 0V, I_D = 250μA$
静态漏源导通电阻Typ 0.056 Ω, Max 0.065 Ω, $V_{GS} = 4.5V, I_D = 4.42A$
栅源阈值电压Min 1.0 V, $V_{DS} = V_{GS}, I_D = 250μA$
正向跨导Min 10.4 S, $V_{DS} = 10V, I_D = 5.2A$
漏源漏电流Max 25 μA, $V_{DS} = 44V, V_{GS} = 0V, T_J = 150°C$
栅源正向漏电流Max 100 nA, $V_{GS} = 20V$
总栅极电荷Typ 29 nC, Max 44 nC, $I_D = 5.2A$
输入电容Typ 780 pF, $V_{GS} = 0V$
输出电容Typ 190 pF, $V_{DS} = 25V$
连续漏极电流Max 4.2 A, $T_A = 70°C, V_{GS} = 10V$
脉冲漏极电流Max 42 A
最大耗散功率Max 1.7 W, $T_A = 70°C$
栅源电压Max ± 20 V
结到环境热阻Max 62.5 °C/W
单脉冲雪崩能量Max 140 mJ
雪崩电流Max 5.1 A
湿度敏感等级MSL1 (per JEDEC J-STD-020D)
全部参数（18 项）展开收起
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.1A
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Power - Max2.4W
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~175°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SO
其他
Base Product NumberIRF7341
FET FeatureStandard
FET Type2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds780pF @ 25V
MfrInfineon Technologies
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 5.1A, 10V
SeriesHEXFET®
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)

技术资料

数据手册数据手册 · 205.2 KB · 2026-11-09其他资料其他资料 · 27.2 KB · 2026-09-21其他资料其他资料 · 27.2 KB · 2026-09-21
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