IRF7832TRPBF-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单这款N沟道场效应管专为低压大电流场景设计，拥有30V耐压与30A持续电流能力，其3.3mΩ的极低导通电阻能显著降低传导损耗。±20V的栅源电压范围确保了驱动电路的灵活性。它非常适合应用于高性能DC/DC转换器、同步整流电路及便携式设备电源管理，在紧凑空间内实现高效功率传输，满足现代电子产品对高能效和小型化的需求。
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流30 A
导通电阻3.3 mΩ
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流30 A
导通电阻3.3 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |