IRF8313TRPBF-TP
晶体管 - FET，MOSFET - 单特性：RDS(ON)≤16 mΩ@VGS=10V。 RDS(ON)≤20 mΩ@VGS=4.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流8.3 A
导通电阻20 mΩ
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流8.3 A
导通电阻20 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 8.3A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V,8A |
| 数量 | 2个N沟道 |