IRF8313TRPBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款双路N+N沟道MOSFET，采用Trench工艺，可广泛应用于各种电子设备的功率开关和控制模块。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；13.5A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流11 A
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流11 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 11A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |