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IRF8313TRPBF

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流8.3 A
导通电阻20 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流8.3 A
导通电阻20 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8.3A
其他
导通电阻(RDS(on))20mΩ@4.5V,8A
数量2个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 21.9 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 3.3 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 2.1 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 903.9 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 894.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 864.7 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 554.8 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 455.8 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 53.9 KB · 2026-09-21
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