IRLML0100TRPBF-FS
晶体管 - FET，MOSFET - 单特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流2 A
导通电阻310 mΩ
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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流2 A
导通电阻310 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 2A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |