HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

IRLML2402GPbF N沟道MOSFET，选用绿色环保的无铅SOT-23封装工艺，具备出色的电气性能。该器件工作电压高达20V（VDSS），最大连续漏极电流可达2.3A，而超低的导通电阻仅有48mR（RD(on)），显著提升了能源效率并降低了功率损耗。这款MOS管适用于各类开关调节器、电机驱动以及高集成度电子产品的设计中，以卓越的品质和性能，助您实现更高水平的电路控制与节能效果。