MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
Infineon IRLML6401PBF 是一款 P 沟道 HEXFET 功率 MOSFET，耐压 -12V，导通电阻 0.05Ω，采用 Micro3 (SOT-23) 封装，具备低剖面、快速开关及 RoHS 合规特性。规格书核对
沟道P 沟道
耐压-12 V
连续漏极电流-4.3 A
导通电阻50 mΩ
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技术参数
沟道P 沟道
耐压-12 VMin: -12 V (VGS = 0V，ID = -250μA)
连续漏极电流-4.3 AMax: -4.3 A (TA = 25°C，VGS = -4.5V)，Max: -3.4 A (TA = 70°C，VGS = -4.5V)
导通电阻50 mΩ最大 · Max: 0.050 Ω (VGS = -4.5V，ID = -4.3A)，Max: 0.085 Ω (VGS = -2.5V，ID = -2.5A)，Max: 0.125 Ω (VGS = -1.8V，ID = -2.0A)
阈值电压-950 mV最大 · Max: -0.95 V (VDS = VGS，ID = -250μA)
规格书核对参数
26 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 沟道 | P-Channel | |
| 耐压 | Min: -12 V (VGS = 0V, ID = -250μA) | |
| 连续漏极电流 | Max: -4.3 A (TA = 25°C, VGS = -4.5V); Max: -3.4 A (TA = 70°C, VGS = -4.5V) | |
| 导通电阻 | Max: 0.050 Ω (VGS = -4.5V, ID = -4.3A); Max: 0.085 Ω (VGS = -2.5V, ID = -2.5A); Max: 0.125 Ω (VGS = -1.8V, ID = -2.0A) | |
| 阈值电压 | Min: -0.40 V, Typ: -0.55 V, Max: -0.95 V (VDS = VGS, ID = -250μA) | |
| 封装 | Micro3™ (SOT-23) |
全部参数（7 项）
| 环境与封装 | |
|---|---|
| Package Type | Micro3TM (SOT-23) |
| 其他 | |
| I_{D} @ T_{A} = 25^{}C | -4.3 A (Max) |
| P_{D} @ T_{A} = 25^{}C | 1.3 W (Max) |
| R_{DS(on)} | 0.050 Ω (Max) |
| T_{J}, T_{STG} | -55 to + 150 °C |
| V_{DSS} | -12 V |
| V_{GS(th)} | -0.55 V (Typ) |
引脚与封装
HEXFET® Power MOSFET
| 脚位 | 名称 | 功能 | 出处 |
|---|---|---|---|
| 1 | 栅极 (Gate) | ||
| 2 | 源极 (Source) | ||
| 3 | 漏极 (Drain) |
器件图片
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。