IRLR024NTRLPBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。
耐压60 V
连续漏极电流18 A
导通电阻85 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
耐压60 V
连续漏极电流18 A
导通电阻85 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 18A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |