HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高耐压、中功率开关应用。其主要参数包括：最大漏极电流ID为3.7A，漏源击穿电压VDSS高达1500V，导通电阻RDON为1000mΩ，栅源电压VGS为±20V，具备良好的开关性能与稳定性。该器件可广泛应用于电源转换、适配器、充电设备及家电控制电路中，满足高效能与高可靠性需求。