P沟道MOSFET,电流:-4.1A,耐压:-20V

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4.1 A
导通电阻90 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4.1 A
导通电阻90 mΩ最大 · 1.8V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.1A
其他
导通电阻(RDS(on))90mΩ@1.8V
数量1个P沟道

技术资料