JESTEK(吉思泰)中国

JST4435

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P沟道 -30V

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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流10 A
导通电阻34 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流10 A
导通电阻34 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
其他
导通电阻(RDS(on))34mΩ@4.5V
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 5.5 MB · 2026-09-21
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