全部替代型号
查看完整报告已收录 23 个替代型号，其中国产替代 5 个，登录后查看。
技术参数
| 电源 | |
|---|---|
| IC-最大集电极电流 | 3A |
| VCBO-集基级击穿电压 | 60V |
| VCEO-集射级击穿电压 | 50V |
| VEBO-射基级击穿电压 | 6V |
| 交流 / 直流特性 | |
| fT-变换频率 | 150MHZ |
| hFE-最小直流增益 | 100 |
| 环境与封装 | |
| 封装类型1 | TO92 |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| 其他 | |
| Pd-功率耗散 | 1W |
| VCE(sat)-集射级饱和压降 | 0.7V |
| 引脚数量1 | 3 |
已收录 23 个替代型号，其中国产替代 5 个，登录后查看。
| 电源 | |
|---|---|
| IC-最大集电极电流 | 3A |
| VCBO-集基级击穿电压 | 60V |
| VCEO-集射级击穿电压 | 50V |
| VEBO-射基级击穿电压 | 6V |
| 交流 / 直流特性 | |
| fT-变换频率 | 150MHZ |
| hFE-最小直流增益 | 100 |
| 环境与封装 | |
| 封装类型1 | TO92 |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| 其他 | |
| Pd-功率耗散 | 1W |
| VCE(sat)-集射级饱和压降 | 0.7V |
| 引脚数量1 | 3 |