KY(韩景元)中国

KY4953C

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流3.8 A
导通电阻130 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流3.8 A
导通电阻130 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.8A
其他
导通电阻(RDS(on))130mΩ@4.5V
数量2个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.5 MB · 2026-09-21
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