HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）为60μA，非重复浪涌正向电流（IFSM）可达90A。其低漏电流与较高浪涌能力相结合，适用于高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效电能转换系统，在保障可靠运行的同时有助于降低导通损耗与热管理复杂度。