ALJ(龙晶微)中国
LJ3401
晶体管 - FET,MOSFET - 单特性:P-Channel (P沟道),耐压 -30V,持续漏极电流 -4.2A。 是高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)卓越的导通电阻和最大直流电流能力。应用:便携式设备负载开关、电池保护电路、DC-DC 转换器等。
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特性:P-Channel (P沟道),耐压 -30V,持续漏极电流 -4.2A。 是高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)卓越的导通电阻和最大直流电流能力。应用:便携式设备负载开关、电池保护电路、DC-DC 转换器等。
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