ALJ(龙晶微)中国
LJ3406
晶体管 - FET，MOSFET - 单特性：30V N沟道3.6A、低压MOS管。采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。应用：负载开关或在 PWM 应用中使用。
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特性：30V N沟道3.6A、低压MOS管。采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。应用：负载开关或在 PWM 应用中使用。
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