Texas Instruments美国

LM5050MK-1

或控制器，理想二极管SOT

IC CTRL ORING FET 1-75V 6-SOT-23

LM5050MK-1 是一款高侧 OR 控制器，工作电压 5V 至 75V，瞬态耐压 100V，采用 SOT-6 封装，用于驱动外部 N 沟道 MOSFET 实现理想二极管整流。规格书核对

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技术参数

规格书核对参数

19 项

参数	值和测试条件	出处
封装	SOT (6) (Thin SOT-23-6), Body Size: 2.90 mm × 1.60 mm
工作温度	Standard Grade: Min -40°C, Max 125°C
等级	Standard (Catalog)
输入电压范围	Min 5 V, Max 75 V (TJ = -40°C to 125°C)
供电电压范围	Min 5 V, Max 75 V (TJ = -40°C to 125°C)
瞬态耐压	100 V
绝对最大额定值 (IN/OUT/VS/GATE)	Min -0.3 V, Max 100 V
绝对最大额定值 (OFF)	Min -0.3 V, Max 7 V
存储温度	Min -65°C, Max 150°C
推荐工作条件 (IN/OUT/VS)	Min 5 V, Max 75 V
推荐工作条件 (OFF)	Min 0 V, Max 5.5 V
静态电流 (VS)	Typ 130 μA (VVS=75V, VIN=75V, TJ=25°C); Max 288 μA (TJ=-40°C to 125°C)
IN 引脚电流	Typ 320 μA (VIN=12V to 75V, TJ=25°C); Min 233 μA, Max 400 μA (TJ=-40°C to 125°C, LM5050MK-1)
OUT 引脚电流	Typ 3.2 μA (VIN=5V to 75V, TJ=25°C); Max 8 μA (TJ=-40°C to 125°C)
栅极驱动电流 (ON)	Typ 32 μA (VIN=12V to 75V, TJ=25°C); Min 20 μA, Max 41 μA (TJ=-40°C to 125°C)
栅源电压 (正向)	Typ 12 V (VIN=12V to 75V, TJ=25°C); Min 9 V, Max 14 V (TJ=-40°C to 125°C)
反向响应时间	50 ns
ESD 额定值 (HBM)	±2000 V
ESD 额定值 (MM)	±150 V

全部参数（6 项）展开收起

电源
Operating Input Voltage Range	5 V to 75 V
Peak Gate Turnoff Current	2-A
Response to Current Reversal	50-ns
环境与封装
Package	SOT-6 (Thin SOT-23-6)
Storage Temperature	-65 °C to 150 °C
其他
Transient Capability	100 V

引脚与封装

封装SOT (6) (Thin SOT-23-6), Body Size: 2.90 mm × 1.60 mm

脚位	名称	功能	出处
1		VS：内部偏置主电源及栅极驱动电荷泵辅助电源，通常连接至 VOUT 或 VIN
2		GND：控制器地返回
3		OFF：逻辑高电平将 GATE 引脚拉低并关闭外部 MOSFET；未使用时可悬空或接地
4		IN：外部 MOSFET 源极电压检测连接
5		GATE：连接至外部 MOSFET 栅极，控制 MOSFET 以模拟低正向压降二极管
6		OUT：外部 MOSFET 漏极电压检测连接

技术资料

数据手册数据手册 · 895.6 KB · 2026-11-02

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