HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流为10A，最大反向电压达100V。其正向压降为1V，在导通状态下维持相对较低的损耗；反向漏电流为100μA，具备良好的反向阻断能力。器件可承受高达125A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对可靠性和瞬态耐受能力有要求的整流、续流及电源转换电路。共阴极结构有助于简化多路输出拓扑中的布线与布局。