HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具备20A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在100V反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件可承受高达175A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源以及需要低导通损耗的电路拓扑。共阴极结构便于多路输出设计中的连接与布局，有助于提升整体电路效率与可靠性。