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MD3001X

晶体管 - FET，MOSFET - 单

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：64A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.1mΩ

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沟道N + P
耐压30 V
连续漏极电流22 A

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技术参数

沟道N + P
耐压30 V
连续漏极电流22 A
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)22A
其他
数量1个N沟道+1个P沟道
耗散功率(Pd)24W

技术资料

数据手册数据手册 · 299.1 KB · 2026-09-21
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