晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):100mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V NPN,Vceo=40V,Ic=0.2A

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类型NPN
集射极耐压40 V
集电极电流200 mA
功率100 mW

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技术参数

类型NPN
集射极耐压40 V
集电极电流200 mA最大
功率100 mW最大
电源
集射极击穿电压(Vceo)40V
集电极电流(Ic)200mA
其他
晶体管类型NPN
耗散功率(Pd)100mW

技术资料