minos(迈诺斯)中国

MPT013N03L

晶体管 - FET，MOSFET - 单

采用SGT工艺,30V 210A,1.3mΩ@10V，具备低内阻、高抗冲击等特性，适用于车载逆变器，开关电源，电池保护等领域

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技术参数

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技术资料

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