DIODE GP 800V 3A SQ-MELF B

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反向耐压800 V
平均整流电流3 A
正向压降1.3 V
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技术参数

反向耐压800 V
平均整流电流3 A
正向压降1.3 V最大 · 9 A
类型标准Standard Recovery >500ns,> 200mA (Io)
电源
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 800 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 9 A
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-65°C~175°C
PackageBulk
Package / CaseSQ-MELF, B
Supplier Device PackageSQ-MELF, B
其他
Capacitance @ Vr, F-
Diode TypeStandard
MfrMicrochip Technology
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)2 µs
SeriesMilitary, MIL-PRF-19500/420
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

技术资料

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