Micron Technology Inc.美国

MT29F8G08ABBCAH4-IT:C TR

存储器

2,4,8Gb x8/x16 复用 NAND 闪存

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容量8 Gbit
供电电压2.7 ~ 3.6 V

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技术参数

容量8 Gbit
供电电压2.7 ~ 3.6 V
电源
工作电压2.7V~3.6V
环境与封装
工作温度-40℃~+85℃
其他
存储容量8Gbit
擦写寿命10万次

技术资料

数据手册数据手册 · 990.1 KB · 2026-09-21
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