NDS332P-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单NDS332P MOS管，采用紧凑型SOT-23封装形式，内建P沟道结构，性能卓越。该器件具有20V的最高漏源击穿电压(VDSS)，能在安全电压范围内稳定工作，同时提供高达2.3A的连续漏极电流(ID)，确保强大驱动能力。尤其值得关注的是其超低导通电阻RD(on)仅120mR，显著降低了功率损耗并提升了整体系统效能。适用于电源管理、开关调节等电路设计，是您实现高效能应用的理想之选。
耐压20 V
连续漏极电流2.3 A
导通电阻170 mΩ
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耐压20 V
连续漏极电流2.3 A
导通电阻170 mΩ最大 · 2.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@2.5V |
| 耗散功率(Pd) | 650mW |