MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
NDS332P是一款P沟道逻辑电平增强型MOSFET，耐压-20V，导通电阻0.41Ω@VGS=-2.7V，采用SOT-23封装，适用于低电压电源管理。规格书核对
沟道P 沟道
耐压-20 V
连续漏极电流-1.5 A
导通电阻410 mΩ
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沟道P 沟道
耐压-20 VMax: - (VGS=0 V，ID=-250 μA)
连续漏极电流-1.5 AMax: - (VGS=-2.7 V，VDS=-5 V)，Max: - (VGS=-4.5 V，VDS=-5 V)
导通电阻410 mΩ最大 · Max: 0.41 Ω (VGS=-2.7 V，ID=-1 A)，Max: 0.3 Ω (VGS=-4.5 V，ID=-1.1 A)
阈值电压-1 V最大 · Max: -1 V (VDS=VGS，ID=-250 μA)，Max: -0.8 V (TJ=125°C)
规格书核对参数
22 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 沟道 | P-Channel | |
| 耐压 | Min: -20 V, Typ: -, Max: - (VGS=0 V, ID=-250 μA) | |
| 连续漏极电流 | Min: -1.5 A, Typ: -, Max: - (VGS=-2.7 V, VDS=-5 V); Min: -2.5 A, Typ: -, Max: - (VGS=-4.5 V, VDS=-5 V) | |
| 导通电阻 | Min: -, Typ: 0.35 Ω, Max: 0.41 Ω (VGS=-2.7 V, ID=-1 A); Min: -, Typ: 0.26 Ω, Max: 0.3 Ω (VGS=-4.5 V, ID=-1.1 A) | |
| 阈值电压 | Min: -0.4 V, Typ: -0.6 V, Max: -1 V (VDS=VGS, ID=-250 μA); Min: -0.3 V, Typ: -0.45 V, Max: -0.8 V (TJ=125°C) | |
| 封装 | SOT-23 |
全部参数（7 项）
| 环境与封装 | |
|---|---|
| Package | SOT-23 |
| 其他 | |
| I_D | -1 A |
| P_D | 0.5 W |
| R_DS(ON) | 0.41 Ω (Max) |
| T_J, T_STG | -55 to 150 °C |
| V_DSS | -20 V |
| V_GS(th) | -1 V (Max) |
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。