NDS332P
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NDS332P

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单SOT-23-3

MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流1 A
导通电阻300 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流1 A
导通电阻300 mΩ最大 · 1.1A
阈值电压1 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.7V, 4.5V
Power Dissipation (Max)500mW (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23-3
其他
Base Product NumberNDS332
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds195 pF @ 10 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

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