高品质MOS管 P沟道,电流50A,耐压30V,导通电阻:9.5mΩ

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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流50 A
导通电阻9.5 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流50 A
导通电阻9.5 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)50A
其他
导通电阻(RDS(on))9.5mΩ@10V
数量1个P沟道

技术资料

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